Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRF530N

Версия для печати Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W

Технические характеристики IRF530N

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Серия TrenchMOS™
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110 mOhm @ 9A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 17A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 40nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 633pF @ 25V
Power - Max 79W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3
Корпус TO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
1.5KE400CA (RECTIFIER) 536 19.20 руб. 
1N4148 (DIOTEC) 182647 3.17 руб. 
IR2104S (FULIHAO TECH) 2880 129.89 руб. 
US1M (YJ) 184000 2.36 руб. 
IRF530N

N-channel Trenchmos Transistor

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

irf530n.pdf
99.5Kb
7стр.