1Т308В

Транзисторы ВЧ малой мощности германиевые структуры p-n-p универсальные, для применения в автогенераторах, усилителях мощности, импульсных устройствах

Наименование
Кол-во
Цена
1Т308В 80 25.20
1Т308В 80 58.14
1Т308В 80 45.90

Описание 1Т308В

Транзисторы Вч малой мощности германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные. Применяются в автогенераторах, усилителях мощности, импульсных устройствах. Корпус металлостеклянный с гибкими выводами. 
Основные технические характеристики:
• Структура: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой:  не менее 120 МГц;
• Uкбо -  напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20 В;
• Uэбо - напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА;
• Iки ток коллектор -120 мкА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 50-150;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 8 (5В);
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 8 дБ;



Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru