Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
---|---|---|
1Т308В | 80 | 25.20 |
1Т308В | 80 | 58.14 |
1Т308В | 80 | 45.90 |
Транзисторы Вч малой мощности германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные. Применяются в автогенераторах, усилителях мощности, импульсных устройствах. Корпус металлостеклянный с гибкими выводами.
Основные технические характеристики:
• Структура: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 120 МГц;
• Uкбо - напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20 В;
• Uэбо - напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА;
• Iки ток коллектор -120 мкА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 50-150;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 8 (5В);
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 8 дБ;