Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

2N7002E

Версия для печати Транзистор полевой N-канальный MOSFET (Vds=60V, Id=0.38A@T=25C, Id=0.245A@T=100C)

Наименование
Кол-во
Цена
 
2N7002E 2174 17.76 руб. 

Технические характеристики 2N7002E

Параметр
Значение
FET Feature Logic Level Gate
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 250mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 240mA
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 0.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 21pF @ 5V
Power - Max 350mW
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус SOT-23-3 (TO-236)
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
BSR14 (ONS) 2564 5.30 руб. 
IRG4BC40WPBF (INFINEON) 142 383.88 руб. 
L6386ED (ST MICROELECTRONICS) 20 198.04 руб. 
UC3845BDG (ONS) 9 48.08 руб. 
2N7002E
MOSFET

N-Channel 60-V MOSFET

Производитель:
Vishay

2N7002E.pdf
81.8 Кб
РџР“2-15-4Рџ9РќР’
Коммутируемый ток / напряжение AC DC 0,05-2 А / AC DC 30-220 В Сопротивление контактов / изоляции 0,02 Ом / 1000 МОм Рабочий диапазон температур -60 д...
3222.00 СЂСѓР± РљСѓРїРёС‚СЊ
R13-402CBB
Коммутируемый ток / напряжение 3A 250V AC, 6A 125V AC Сопротивление контактов / изоляции ?50mOm / 100MOm 500V DC Количество коммутаций / наработка ча...
82.28 СЂСѓР± РљСѓРїРёС‚СЊ
HA13157
РЈРќР§ 4x19W BTL (13.2V/4 РћРј), max 4x33W, Gv=32dB
Купить