Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
---|---|---|---|
2SA1015 | 13600 | 1.68 руб. (от 100 шт. 0.84 руб.) | |
Структура PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 400
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 80
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.4
Корпус TO92
Параметр |
Значение |
---|---|
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Transistor Type | PNP |
Current - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 6V |
Power - Max | 400mW |
Frequency - Transition | 80MHz |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-92-3 (Long Body), TO-226 |
Корпус | TO-92 |
UTC2SA1015 Биполярные транзисторы PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
Производитель:
|
||