Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

BC847BPDW1T1G

Версия для печати
Наименование
Кол-во
Цена
 
BC847BPDW1T1G (ONS) 7248 8.50 руб. 

Технические характеристики BC847BPDW1T1G

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type NPN, PNP
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 5V
Power - Max 380mW
Frequency - Transition 100MHz
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Корпус SOT-363
Product Change Notification Wire Change 08/Jun/2009
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
MMBT3904 (YJ) 112000 1.24 руб. 
MMBT3906 (YJ) 176000 1.24 руб. 
MMBTA06LT1G (ONS) 14006 5.49 руб. 
MMBTA56LT1G (ONS) 4317 7.60 руб.