Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| BC847BW (YJ) | 57600 | 2.48 руб. | |
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
| Power - Max | 200mW |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SC-70, SOT-323 |
| Корпус | SC-70 |
|
BC846AW NPN Silicon AF Transistor (For AF input stages and driver applications High current gain Low collector-emitter saturation voltage) Также в этом файле: BC847BW
Производитель:
|
||
 | 2Р В Р’В Р В РЎС™18Р В РІР‚В4Р В Р Рѓ1Р В РІР‚в„ў1 ГерРСВетРСвЂР ЎвЂЎР Р…ые РцвысокогерРСВетРСвЂР ЎвЂЎР Р…ые СЃРѕРµРТвЂР В РЎвЂР  Р…Р СвЂР ЎвЂљР ВµР В»Р С†Р Р†РЎвЂ№Р С—олнены блочныРСВРцРІРСвЂР  В»Р С”Р°РСВРцРТвЂР  В»РЎРЏ сочлененРСвЂР РЋР РЏ Р РЋР С“ кабельныРСВРцнегерРСВетРСвЂР ЎвЂЎР Р…С‹РСВРцрозеткаРСВР В РЎвЂ. РЎРѕРµРТвЂР В РЎвЂР  Р…Р СвЂР ЎвЂљР ВµР В»Р С†РЎРѓР С•РЎРѓРЎвЂљР С•РЎРЏРЎвЂљ Р В РЎвЂР В Р’В· ... 120.00 СЂСѓР± РљСѓРїРСвЂР ЎвЂљРЎРЉ |
 | Р”3-38 ВолновоРТвЂР  Р…ый полярРСвЂР  В·Р В°РЎвЂ Р СвЂР  С•Р Р…ный аттенюатор Р”3-36Р С’ РїСЂРµРТвЂР  Р…азначен Р В РўвЂР  В»РЎРЏ калРСвЂР  В±РЎР‚ованного ослабленРСвЂР РЋР РЏ высокочастотного РЎРѓР СвЂР  С–нала вволновоРТвЂР  Р…ых трактах. РџСЂРСвЂР  В±Р С•РЎР‚ Р”3-36Р С’... 147680.00 СЂСѓР± РљСѓРїРСвЂР ЎвЂљРЎРЉ |
 | MCP1827S-ADJ Р В РЎСљР В РЎвЂР  В·Р С”овольтные стабРСвЂР  В»Р СвЂР  В·Р В°РЎвЂљР С•РЎР‚С‹ Р РЋР С“ Р В РЎВалыРѠпотребляеРСВС‹РѠтокоРѠРљСѓРїРСвЂР ЎвЂљРЎРЉ |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
