Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

BC847CLT1G

Версия для печати Транзистор биполярный SMD

Наименование
Кол-во
Цена
 
BC847CLT1G (ONS) 2240 2.36 руб. 

Технические характеристики BC847CLT1G

Параметр
Значение
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Transistor Type NPN
Корпус SOT-23-3
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип монтажа Поверхностный
Frequency - Transition 100MHz
Power - Max 225mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 420 @ 2mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Product Change Notification Wire Change 08/May/2007 Possible Adhesion Issue 11/July/2008
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
RC0805JR-07300RL (YAGEO) 78400 2.36 руб. 
W5100 (WIZNET) 96 755.71 руб. 
BC846ALT1
Универсальные биполярные транзисторы

General Purpose Transistors NPN Silicon

Также в этом файле: BC847CLT1G

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

bc846alt1.pdf
96.05Kb
6стр.