BC856B

Версия для печати Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450

Наименование	Кол-во	Цена
BC856B	48000	1.96 руб. (от 100 шт. 0.98 руб.)

Описание BC856B

Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе для SMD монтажа. Применяются в самых широких областях электроники.
Структура P-N-P
Uк-э.макс. -65V
Uкб.макс. -50V
Iк.макс. 100mA
Iк.имп.макс. 200mA
Fгр. 100MHz
Pрасс.макс. 250mW
Cк 4,5pF(тип.)
Шумы 2dB(тип.)..10dB(макс.)
Iк.нач./Iэ.нач.< 15nA / 100nA
Hfe 220..475
Диапазон рабочих температур -65..+150°С
Маркировка 3B

Технические характеристики BC856B

Параметр	Значение
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	PNP
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	650mV @ 5mA, 100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	220 @ 2mA, 5V
Power - Max	250mW
Frequency - Transition	100MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	TO-236AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Кол-во	Цена
74HC153DR (SN74HC153DR) (TEXAS INSTRUMENTS)	1714	24.00 руб.
74HC4053D (PHILIPS)	247	14.40 руб.
BC846B (HOTTECH)	96000	1.18 руб.

BC856AF

PNP general purpose transistors

Также в этом файле: BC856BF

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

bc856af.pdf
44.61Kb
8стр.