Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

BC856BLT1G

Версия для печати
Наименование
Кол-во
Цена
 
BC856BLT1G (ONS) 58022 3.00 руб. 

Технические характеристики BC856BLT1G

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type PNP
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 220 @ 2mA, 5V
Power - Max 225mW
Frequency - Transition 100MHz
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус SOT-23-3
Product Change Notification Wire Change 08/May/2007 Possible Adhesion Issue 11/July/2008
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
LM311D (TEXAS INSTRUMENTS) 5 19.04 руб. 
MCP1702T-3302E/CB (MICRO CHIP) 8628 54.09 руб. 
WH1602D-NGG-CT (WINSTAR) 315 558.83 руб. 
BC856ALT1
Универсальные биполярные транзисторы

General Purpose Transistors PNP Silicon

Также в этом файле: BC856BLT1G

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

bc856alt1.pdf
112.6Kb
8стр.