BD135

Транзистор NPN 45V 1,5A, 12,5W, B:40-250, 50 MHz

Наименование
Кол-во
Цена
BD135 (ST MICROELECTRONICS) 1106 49.38

Описание BD135

Материал p-n-перехода: Si
Структура транзистора: NPN
Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 12 W
Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 45 V
Предельное постоянное напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Предельный постоянный ток коллектора транзистора (Ic max): 1 A
Предельная температура p-n перехода (Tj): 150 C
Граничная частота коэффициента передачи тока (Ft) транзистора: 50 MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe), min: 40

Технические характеристики BD135

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Transistor Type NPN
Current - Collector (Ic) (Max) 1.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 150mA, 2V
Power - Max 1.25W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-225-3
Корпус TO225AA


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru