Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
---|---|---|
BD135 (ST MICROELECTRONICS) | 1106 | 49.38 |
Материал p-n-перехода: Si
Структура транзистора: NPN
Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 12 W
Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 45 V
Предельное постоянное напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Предельный постоянный ток коллектора транзистора (Ic max): 1 A
Предельная температура p-n перехода (Tj): 150 C
Граничная частота коэффициента передачи тока (Ft) транзистора: 50 MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe), min: 40
Параметр |
Значение |
---|---|
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Transistor Type | NPN |
Current - Collector (Ic) (Max) | 1.5A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 150mA, 2V |
Power - Max | 1.25W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-225-3 |
Корпус | TO225AA |