Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

BDX53C

Версия для печати Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, P=60W, -65 to +150C)

Наименование
Кол-во
Цена
 
BDX53C (ST MICROELECTRONICS) 2050 91.67 руб. 

Технические характеристики BDX53C

Параметр
Значение
Корпус TO-220
Корпус (размер) TO-220-3
Тип монтажа Выводной
Power - Max 60W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 750 @ 3A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max) 500µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 2V @ 12mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V
Current - Collector (Ic) (Max) 8A
Transistor Type NPN - Darlington
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Product Change Notification Lead Frame Dimensions Change 29/Nov/2007
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Аналоги для BDX53C

Наименование
Кол-во
Цена
 
TIP102 (ST MICROELECTRONICS) 214 201.44 руб. 
TIP132 (ST MICROELECTRONICS) 173 213.74 руб. 
КТ829А (КРЕМНИЙ) 6938 79.77 руб. 

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
BDX54C (ST MICROELECTRONICS) 1094 81.67 руб. 
MTS-202 ON-ON 7898 39.08 руб. 
TIP35C 304 108.42 руб. 
BDX53

NPN SILICON POWER DARLINGTONS

Также в этом файле: BDX53C

Производитель:
Bourns Electronic Solutions
//www.bourns.ru

bdx53.pdf
114.76Kb
5стр.