BS170

Версия для печати Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт

Наименование	Кол-во	Цена
BS170 (ONS)	2256	28.99 руб.

Описание BS170

Транзистор N-канальный полевой
Напряжение сток -исток 60В
Ток стока 500 (1200 имп.) мА
Мощность до 830Вт
Диапазон температур - 55 ... 150^оС
Корпус ТО - 92

Технические характеристики BS170

Параметр	Значение
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 200mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	500mA
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	40pF @ 10V
Power - Max	830mW
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Корпус	TO-92-3
Product Change Notification	LTB Notification 08/Jan/2008

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Кол-во	Цена
1N4148 (DIOTEC)	173945	3.21 руб.
2N3904	16000	1.52 руб. (от 100 шт. 0.76 руб.)
78L05 (HOTTECH)	41480	10.60 руб.
PIC12F629-I/P (MICRO CHIP)	2023	205.64 руб.

BS170P
N-канальные транзисторные модули

N-channel Enhancement Mode Vertical Dmos Fet

Производитель:
Zetex Semiconductors
//www.zetex.com

bs170p.pdf
25.75Kb
1стр.