Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

BSN254A

Версия для печати Транзистор полевой SMD N-MOS 250V, 0.3A, 1W (Pin S-G-D)

Наименование
Кол-во
Цена
 
BSN254A (КИТАЙ) 4642 324.11 руб. 

Технические характеристики BSN254A

Параметр
Значение
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 310mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5 Ohm @ 300mA, 10V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 120pF @ 25V
Power - Max 1W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Корпус TO-92-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
ILD213T (VISHAY) 17 36.00 руб. 
BSN254

N-channel Enhancement Mode Vertical D-mos Transistor

Также в этом файле: BSN254A

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

bsn254.pdf
69.24Kb
12стр.