BSS123LT1G

Версия для печати Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2

Наименование	Кол-во	Цена
BSS123LT1G (ON SEMICONDUCTOR)	416	8.40 руб.

Параметр	Значение
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6 Ohm @ 100mA, 10V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	170mA
Vgs(th) (Max) @ Id	2.8V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	20pF @ 25V
Power - Max	225mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3
Product Change Notification	Wire Change for SOT23 Pkg 26/May/2009

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.