Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

FQPF10N60C

Версия для печати Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)

Наименование
Кол-во
Цена
 
FQPF10N60C (ONS) 182 304.51 руб. 

Технические характеристики FQPF10N60C

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Серия QFET™
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 730 mOhm @ 4.75A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 9.5A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 57nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 2040pF @ 25V
Power - Max 50W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3 Full Pack
Корпус TO-220F
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
1N4148 (DIOTEC) 173945 3.19 руб. 
L7805CV (ST MICROELECTRONICS) 8000 63.23 руб. 
FQP10N60C

600V N-Channel MOSFET

Также в этом файле: FQPF10N60C

Производитель:
Fairchild Semiconductor
//www.fairchildsemi.com

fqp10n60c.pdf
836.59Kb
10стр.