IRF3710

Версия для печати Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 R@Vgs=10V, P=200W, -55 to 175C)

Наименование	Кол-во	Цена
IRF3710S	1280	76.12 руб.

Параметр	Значение
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23 mOhm @ 28A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	57A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	130nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3130pF @ 25V
Power - Max	200W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-262-3 (Straight Leads)
Корпус	TO-262

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Кол-во	Цена
IRF2807 (INTERNATIONAL RECTIFIER)	80	214.20 руб.
IRFP260N (INTERNATIONAL RECTIFIER)	80	354.96 руб.
SG3525AN (ON SEMICONDUCTOR)	5	232.56 руб.

IRF3710Z
Дискретные сигналы

HEXFETand#174; Power MOSFET

Также в этом файле: IRF3710ZL, IRF3710ZS

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

irf3710z.pdf
269.45Kb
12стр.