IRF4905
Транзистор полевой P-канальный (Vds=55V, Id=74A@T=25C, Id=52A@T=100C, Rds=0.02 R@Vgs=10V, P=200W, -55 to 175C)Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|---|---|---|
| IRF4905 | 558 | 55.72 |
Описание IRF4905
Структура транзистора: MOSFET
Тип управляющего канала: P
Предельная постоянная рассеиваемая мощность стока (Pd) транзистора: 150 Bт
Напряжение пробоя сток-исток (Uds): 55V B
Предельное напряжение затвор-исток (Ugs): 10 В
Предельный ток затвора транзистора (Id): 64 А
Предельная температура (Tj): 150 С
Сопротивление сток-исток во включенном состоянии (Rds): 0.02 Ом
Корпус: TO220AB
Технические характеристики IRF4905
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 42A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 42A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 180nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3500pF @ 25V |
| Power - Max | 170W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-262-3 (Straight Leads) |
| Корпус | TO-262 |
Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru