Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRF510PBF

Версия для печати Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V, 5.6A, 43W, 0.54R)

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRF510PBF (VISHAY) 344 88.56 руб. 

Технические характеристики IRF510PBF

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 540 mOhm @ 3.4A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 5.6A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 8.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 180pF @ 25V
Power - Max 43W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3
Корпус TO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
IR2110PBF (INFINEON) 1040 179.32 руб. 
LM317P (ST MICROELECTRONICS) 80 106.27 руб. 
LM317T (КИТАЙ) 4800 43.20 руб. 
К155ИД10 (МИНСК) 354 60.00 руб. 
IRF510PBF
MOSFET

HEXFET® Power MOSFET

Производитель:
Vishay

IRF510PBF.pdf
239.5 Кб