Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
---|---|---|---|
IRF530N | 4000 | 28.15 руб. | |
Параметр |
Значение |
---|---|
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | TrenchMOS™ |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 9A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 17A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 633pF @ 25V |
Power - Max | 79W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220-3 |
Корпус | TO-220AB |
Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
---|---|---|---|
1.5KE400CA (RECTIFIER) | 372 | 19.20 руб. | |
1N4148 (DIOTEC) | 181306 | 3.17 руб. | |
IR2104S (FULIHAO TECH) | 2880 | 129.89 руб. | |
US1M (YJ) | 184000 | 2.36 руб. | |
IRF530N N-channel Trenchmos Transistor
Производитель:
|
||