IRF630

Версия для печати Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт

Наименование	Кол-во	Цена
IRF630 (INTERNATIONAL RECTIFIER)	533	94.86 руб.

Описание IRF630

N-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом для работы в ключевом режиме.
Напряжение сток/ исток 200В
Ток стока 9А
Диапазон температур - 55 ... 150^оC

Технические характеристики IRF630

Параметр	Значение
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	MESH OVERLAY™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	400 mOhm @ 4.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	9A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	45nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	700pF @ 25V
Power - Max	75W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Аналоги для IRF630

Наименование	Кол-во	Цена
КП737А	67	30.66 руб.

С этим товаром покупают:

Наименование	Кол-во	Цена
IRF630N (INTERNATIONAL RECTIFIER)	24	76.80 руб.
L7805CV (ST MICROELECTRONICS)	12800	36.60 руб.
NE555D (HTC TAEJIN)	800	29.52 руб.
SR860 (DC COMPONENTS)	533	64.26 руб.

IRF630S

N-CHANNEL 100V - 0.33ohm - 2A SOT-223 STripFET POWER MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics
//www.st.com

irf630s.pdf
87.49Kb
8стр.