IRF730
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|---|---|---|
| IRF730 | 152 | 116.16 |
Описание IRF730
N-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом для работы в ключевом режиме.
Основные характеристики IRF730:
Максимальный ток стока 5,5А
Максимальное напряжение сток-исток 400V
Сопротивление сток-исток (откр.) <1,0 om
Максимальная мощность рассеивания 75W
Допустимое напряжение на затворе +-20V
Пороговое напряжение на затворе +2..+4V (+2..+4,5V)
Ток утечки затвора < 0,1 uAТок утечки стока (закр.) < 25 uA
Время включения/выключения 10/20nS (тип.)
Время восстановления диода 370nS (тип.)
Корпус TO-220
Диапазон рабочих температур -55..+150oC
Технические характеристики IRF730
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1 Ohm @ 3.3A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 400V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 5.5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 38nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 700pF @ 25V |
| Power - Max | 74W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru