Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRF7319PBF | 40 |
|
|
Структура N&P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 6.5/-4.9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 29/59
Корпус SO8
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Power - Max | 2W |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 650pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 33nC @ 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 6.5A, 4.9A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29 mOhm @ 5.8A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | N and P-Channel |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
|
Полевой транзистор N+P-канальный 30V, 6,5/4, 9A, 2,0W
|
||
 |
 |
 |
 |
 |
 |
