Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRFBE30PBF

Версия для печати МОП-Транзистор, N-канальный, Vси = 800В, Rоткр = 3 Ом, Ic = 4.1A, 125Вт

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRFBE30PBF (VISHAY) 1040 165.31 руб. 

Технические характеристики IRFBE30PBF

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 2.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 4.1A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 78nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1300pF @ 25V
Power - Max 125W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3
Корпус TO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
BC547B 8000 1.42 руб. 
BZV55-C15 (HOTTECH) 1578 1.82 руб. (от 100 шт.  0.91 руб.)
IRF7424TRPBF (INFINEON) 496 38.97 руб. 
IRFZ44E (INTERNATIONAL RECTIFIER) 8 122.40 руб. 
MMBT3904 (YJ) 37600 1.18 руб. 
IRFBE30PBF
MOSFET

HEXFET® Power MOSFET

Производитель:
Vishay

IRFBE30PBF.pdf
2.1 Мб