IRFP90N20D

Транзистор полевой N-канальный MOSFET +D (200V, 94A, 580W)

Наименование
Кол-во
Цена
IRFP90N20D 238 284.27

Технические характеристики IRFP90N20D

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Серия HEXFET®
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23 mOhm @ 56A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 94A
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 270nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 6040pF @ 25V
Power - Max 580W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-247-3 (TO-247AC)
Корпус TO-247AC


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru