Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRFP9140

Версия для печати Транзистор полевой P-канальный MOSFET (100V, 21A, 180W)

Технические характеристики IRFP9140

Параметр
Значение
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200 mOhm @ 13A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 21A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 61nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1400pF @ 25V
Power - Max 180W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-247-3
Корпус TO-247-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
6Н6П 2 302.40 руб. 
6Э5П 18 132.48 руб. 
IRF9x4xx

P-CHANNEL POWER MOSFETS

Также в этом файле: IRFP9140

Производитель:
Samsung semiconductor
//www.samsung.com

irf9x4xx.pdf
386.58Kb
6стр.