Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRFPE50 | 238 | 188.09 руб. | |
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 4.7A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 7.8A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 200nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3100pF @ 25V |
| Power - Max | 190W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247-3 |
| Корпус | TO-247-3 |
|
IRFPE50 N-канальные транзисторные модули Power Mosfet (vdss=800v, Rds (on) =1.2ohm, Id=7.8a)
Производитель:
|
||
 | Р В РЎСџР В РЎв„ў16-12Р В Р Р‹4028 РџСЂРµРТвЂВВВназначен Р В Р’В Р СћРІР‚ВВВля установкРцРЅР° Р В Р’В Р РЋР’ВВВонтажную панель (внутрРцшкафа) 'НапряженРСвЂВВВР В Р’Вµ, Р В РІР‚в„ў постоянного тока 1-30 переРСВВВВенного тока 1-250 РўРѕРє, Р В Р’В Р РЋРІР‚в„ў постоянный... 2129.44 СЂСѓР± РљСѓРїРСвЂВВВть |
 | Р В РІР‚в„ўР В РЎв„ў3-61Р В Р’В Р РЋРІР‚в„ў Р В РІР‚в„ўР В РЎв„ў3-61Р В Р’В Р РЋРІР‚в„ў РїСЂРµРТвЂВВВназначен Р В Р’В Р СћРІР‚ВВВля Р В Р’В Р РЋРІР‚ВВВР В Р’В·Р В РЎВВВВеренРСвЂВВВР РЋР РЏ постоянного, переРСВВВВенного РцСЃСѓРСВВВВР В Р’В Р РЋР’ВВВР РЋРІР‚в„– постоянного РцпереРСВВВВенного напряженРСвЂВВВР в„– РЎРѓР СвЂВВВгналовпроРСвЂВВВзвольной форРСВВВВР РЋРІР‚в„– Р С—Р С• СѓСЂРѕРІРЅСЋ СЃСЂРµРТвЂВВВнек... 85200.00 СЂСѓР± РљСѓРїРСвЂВВВть |
 | РђРџР’ 10 РџСЂРѕРІРѕР҆РїСЂРµРТвЂВВВназначен Р В Р’В Р СћРІР‚ВВВля Р В Р’В Р РЋРІР‚ВВВспользованРСвЂВВВР РЋР РЏ вэлектрРСвЂВВВческРСвЂВВВС… установках РїСЂРцстацРСвЂВВВонарной проклаРТвЂВВВРєРµ восветРСвЂВВВтельных РцСЃРСвЂВВВловых сетях, Р В Р’В° также Р В Р’В Р СћРІР‚ВВВля Р В Р’В Р РЋР’ВВВонтажа элект... 20.16 СЂСѓР± РљСѓРїРСвЂВВВть |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
