Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRFR3410 | 1840 | 46.33 руб. | |
Параметр |
Значение |
|---|---|
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39 mOhm @ 18A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 31A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 56nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1690pF @ 25V |
| Power - Max | 3W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| BAV99 (NEXPERIA) | 387757 | 2.38 руб. | |
| BYV26C-TAP (VISHAY) | 1740 | 29.29 руб. | |
| BYV26E-TAP (VISHAY) | 2850 | 40.99 руб. | |
| BZX55C13 (HOTTECH) | 3394 | 2.30 руб. | |
|
IRFR3410 Дискретные сигналы Power Mosfet
Производитель:
|
||
 |
 |
 |
 |
 |
 |
