Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRFR9024N

Версия для печати P-канальный Полевой транзистор (Vds=-55V, Id=-11A@T=25C, Id=-8A@T=100C, Rds=0,175 R, P=38W, -55 to +150C)

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRFR9024N 10000 16.87 руб. 

Технические характеристики IRFR9024N

Параметр
Значение
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Серия HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 175 mOhm @ 6.6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 11A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 19nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 350pF @ 25V
Power - Max 38W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус D-Pak
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRFR024N 8000 17.57 руб. 
К561ТМ3 80 55.08 руб. 
IRFR9024N

55V Single P-channel HexFET Power MOSFET inA D-pak Package

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

irfr9024n[1].pdf
119.67Kb
10стр.