IRFZ44N

Версия для печати N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, Rds=17.5mOhm(max), P=94W, -55 to +175C)

Наименование	Кол-во	Цена
IRFZ44N (INTERNATIONAL RECTIFIER)	800	122.40 руб.

Описание IRFZ44N

Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 49
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 17.5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 110
Крутизна характеристики S,мА/В 15000

Технические характеристики IRFZ44N

Параметр	Значение
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	TrenchMOS™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	22 mOhm @ 25A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	49A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	62nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1800pF @ 25V
Power - Max	110W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Кол-во	Цена
1N4148 (DIOTEC)	182106	3.17 руб.
FQP50N06	1248	32.90 руб.
TL494CN (MOTOROLA)	80	61.20 руб.
TL494CN (TEXAS INSTRUMENTS)	80	61.20 руб.
КЦ106Г	213	142.80 руб.

IRFZ44N

N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

irfz44n.pdf
67.51Kb
8стр.