Параметр |
Значение |
|---|---|
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.9 mOhm @ 31A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 51A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 43nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1420pF @ 25V |
| Power - Max | 80W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| BZX84C6V2 | 43120 | 4.44 руб. | |
| DS18B20 | 7912 | 119.35 руб. | |
| IRLML6402TR | 1183 | 31.08 руб. | |
|
IRFZ44Z Полевые МОП транзисторы Power MOSFET (Vdss=55V, Rds (on) =13.9mohm, Id=51A) Также в этом файле: IRFZ44ZS
Производитель:
|
||
 |
 |
 |
 |
 |
 |
