Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRFZ48N

Версия для печати N-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=64A@T=25C, Id=45A@T=100C, Rds=16 mOhm (max), P=140 W, -55 to +175C).

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRFZ48N (INTERNATIONAL RECTIFIER) 266 159.12 руб. 

Описание IRFZ48N

N-канальный МОП-транзистор (MOSFET)  с обратным диодом.
Максимальный ток стока   64А
Максимальное напряжение сток-исток  55V
Сопротивление сток-исток (откр.)< 0,014 om
Максимальная мощность рассеивания  130W
Допустимое напряжение на затворе  +-20V
Пороговое напряжение на затворе  +2..+4V
Ток утечки затвора < 0,1 uAТок утечки стока (закр.) < 25 uA
Время включения/выключения 12/34nS (тип.)
Время восстановления диода   68nS (тип.)
Входная/выходная ёмкость  1970/470pF
КорпусTO-220
Диапазон рабочих температур  -55..+175oC

Технические характеристики IRFZ48N

Параметр
Значение
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14 mOhm @ 32A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 64A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 81nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1970pF @ 25V
Power - Max 3.8W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-262-3 (Straight Leads)
Корпус TO-262
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRFP064N 1051 143.18 руб. 
IRFZ44N (INTERNATIONAL RECTIFIER) 800 122.40 руб. 
IRFZ48NPBF (INFINEON) 2 64.94 руб. 
TIP35C 416 124.76 руб. 
IRFZ48N
Мощные полевые МОП транзисторы

N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

irfz48n.pdf
68.45Kb
8стр.