IRGP50B60PD1

Версия для печати Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц

Наименование	Кол-во	Цена
IRGP50B60PD1	1	549.12 руб.

Описание IRGP50B60PD1

Структура N-канал+диод
Максимальное напряжение кэ ,В 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 75
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.6
Управляющее напряжение,В 5.5
Мощность макс.,Вт 390
Максимальная частота переключения, кГц 150
Температурный диапазон,С -55…150
Корпус Super247

Технические характеристики IRGP50B60PD1

Параметр	Значение
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
IGBT Type	NPT
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.85V @ 15V, 50A
Current - Collector (Ic) (Max)	75A
Power - Max	390W
Тип входа	Standard
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247AD
Корпус	TO-247AD

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Кол-во	Цена
BC807-16 (HOTTECH)	40000	2.12 руб.
STTH6003CW	1836	394.94 руб.

IRGP50B60PD1

Smps IGBT

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

irgp50b60pd1.pdf
468.32Kb
10стр.