IRLML2803

Транзистор полевой N-канальный MOSFET

Наименование
Кол-во
Цена
IRLML2803 (HOTTECH) 11200 10.63

Технические характеристики IRLML2803

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Серия HEXFET®
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250 mOhm @ 910mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 1.2A
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 85pF @ 25V
Power - Max 540mW
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус Micro3™/SOT-23


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru