Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRLML6402 (HOTTECH) | 232000 | 4.96 руб. | |
Силовой транзистор Р- канальный.
Структура транзистора: MOSFET
Тип управляющего канала: P
Предельная постоянная рассеиваемая мощность стока (Pd) транзистора: 1.3 Bт
Напряжение пробоя сток-исток (Uds): 20V B
Предельное напряжение затвор-исток (Ugs): 4.5 В
Предельный ток затвора транзистора (Id): 3.7 А
Предельная температура (Tj): 150 С
Сопротивление сток-исток во включенном состоянии (Rds): 0.065 Ом
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 3.7A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.7A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 12nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 633pF @ 10V |
| Power - Max | 1.3W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | Micro3™/SOT-23 |
Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| 2N7002 (DIOTEC) | 81479 | 4.54 руб. | |
| BAT54 | 80800 | 1.88 руб. (от 100 шт. 0.94 руб.) | |
| IRLML2502 (HOTTECH) | 240000 | 6.20 руб. | |
| PIC18F2550-I/SO (MICRO CHIP) | 52 | 1 470.17 руб. | |
| ZHCS1000TA (DIODES) | 3145 | 33.98 руб. | |
|
IRLML6402 HEXFETand#174; Power MOSFET
Производитель:
|
||
 |
 |
 |
 |
 |
 |
