Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRLR7843 | 1856 | 73.68 руб. | |
Параметр |
Значение |
|---|---|
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3 mOhm @ 15A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 161A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 50nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 4380pF @ 15V |
| Power - Max | 140W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
|
IRLR7843 Hexfet Power Mosfet
Производитель:
|
||
 | АЛС314Р С’ 92.00 СЂСѓР± РљСѓРїРСвЂР ЎвЂљРЎРЉ |
 | Si7439DP P-channel 150-v (d-s) mosfet РљСѓРїРСвЂР ЎвЂљРЎРЉ |
 | LM3S6918 ВысокопроРСвЂР  В·Р Р†Р С•Р ТвЂР В РЎвЂР ЎвЂљР ВµР В»РЎРЉР Р…ый Р В РЎВР В РЎвЂР  С”роконтроллер Р РЋР С“ архРСвЂР ЎвЂљР ВµР С”турой armР’В® cortexв„ў-m3, РѕРїС‚РСвЂР В РЎВР В РЎвЂР В Р’В·Р В РЎвЂР ЎР‚ованный Р В РўвЂР  В»РЎРЏ небольшРСвЂР ЎвЂ¦ встраРСвЂР  Р†Р В°Р ВµР СВых РїСЂРСвЂР  В»Р С•Р В¶Р ВµР Р…Р СвЂР  в„– РљСѓРїРСвЂР ЎвЂљРЎРЉ |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
