Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

КТ816В

Версия для печати Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах

Наименование
Кол-во
Цена
 
КТ816В (ЭЛЬТАВ) 4200 14.40 руб. 

Описание КТ816В

Транзистор  кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах
Напряжение коллектор - эмиттер 60В
Обратный ток коллектора   100мкА
Обратный ток к-э  200 
К - т передачи тока 25 - 275
Мощность 25Вт

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Аналоги для КТ816В

Наименование
Кол-во
Цена
 
TIP32B (ВЗПП) 266 33.66 руб. 
КТ818В (УРЛЗ) 800 61.20 руб. 

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
КТ814В (БРЯНСК) 35957 36.00 руб. 
КТ814Г (БРЯНСК) 9601 40.80 руб. 
КТ815В (БРЯНСК) 2496 38.40 руб. 
КТ815Г (БРЯНСК) 7903 43.20 руб. 
КТ817В (ЭЛЬТАВ) 4319 14.40 руб. 


Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах

kt816v.pdf
91,65kB
3стр.