Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

MJE2955T

Версия для печати Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, F=2MHz, -55 to +150C)

Наименование
Кол-во
Цена
 
MJE2955T (ST MICROELECTRONICS) 127 92.77 руб. 

Технические характеристики MJE2955T

Параметр
Значение
Current - Collector (Ic) (Max) 10A
Transistor Type PNP
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max) 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 4A, 4V
Power - Max 75W
Frequency - Transition 2MHz
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3
Корпус TO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Аналоги для MJE2955T

Наименование
Кол-во
Цена
 
BD912 (ST MICROELECTRONICS) 570 243.23 руб. 
MJE3055T (ST MICROELECTRONICS) 284 155.16 руб. 

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
C106M1G (LITTELFUSE) 267 75.28 руб. 
MJE3055T (ST MICROELECTRONICS) 284 155.16 руб. 
ST1S10PHR (ST MICROELECTRONICS) 11582 121.16 руб. 
UTCMJE2955T
Биполярные транзисторы

PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE

Производитель:
Unisonic Technologies
//www.utc-ic.com

utcmje2955t.pdf
11.38Kb
1стр.