Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

MJE3055T

Версия для печати Транзистор биполярный большой мощности NPN 70V 10A 75W B:20-100

Наименование
Кол-во
Цена
 
MJE3055T (ST MICROELECTRONICS) 284 155.16 руб. 

Технические характеристики MJE3055T

Параметр
Значение
Current - Collector (Ic) (Max) 10A
Transistor Type NPN
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max) 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 4A, 4V
Power - Max 75W
Frequency - Transition 2MHz
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3
Корпус TO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Аналоги для MJE3055T

Наименование
Кол-во
Цена
 
BD911 (ST MICROELECTRONICS) 542 149.35 руб. 
D44H11 (ST MICROELECTRONICS) 342 138.95 руб. 
MJE2955T (ST MICROELECTRONICS) 127 92.77 руб. 

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
BD139 1360 19.48 руб. 
FQP50N06L (FAIRCHILD) 533 145.15 руб. 
MJE2955T (ST MICROELECTRONICS) 127 92.77 руб. 
UTCMJE3055T
Биполярные транзисторы

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE

Производитель:
Unisonic Technologies
//www.utc-ic.com

utcmje3055t.pdf
11.35Kb
1стр.