Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

MJE3055T

Версия для печати Транзистор биполярный большой мощности NPN 70V 10A 75W B:20-100

Наименование
Кол-во
Цена
 
MJE3055T (ST MICROELECTRONICS) 284 155.16 руб. 

Технические характеристики MJE3055T

Параметр
Значение
Current - Collector (Ic) (Max) 10A
Transistor Type NPN
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max) 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 4A, 4V
Power - Max 75W
Frequency - Transition 2MHz
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3
Корпус TO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Аналоги для MJE3055T

Наименование
Кол-во
Цена
 
BD911 (ST MICROELECTRONICS) 542 149.35 руб. 
D44H11 (ST MICROELECTRONICS) 342 138.95 руб. 
MJE2955T (ST MICROELECTRONICS) 127 92.77 руб. 

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
2N3904 16000 1.52 руб. (от 100 шт.  0.76 руб.)
BD139 1360 19.48 руб. 
FQP50N06L (FAIRCHILD) 533 145.15 руб. 
IRF740 2526 29.42 руб. 
MJE2955T (ST MICROELECTRONICS) 127 92.77 руб. 
UTCMJE3055T
Биполярные транзисторы

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE

Производитель:
Unisonic Technologies
//www.utc-ic.com

utcmje3055t.pdf
11.35Kb
1стр.