Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

MMBF170LT1G

Версия для печати Транзистор

Наименование
Кол-во
Цена
 
MMBF170LT1G (ONS) 21219 16.00 руб. 

Технические характеристики MMBF170LT1G

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5 Ohm @ 200mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 500mA
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 60pF @ 10V
Power - Max 225mW
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус SOT-23-3
Product Change Notification Wire Change for SOT23 Pkg 26/May/2009
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
3362P-1-104LF (BOURNS) 1646 27.29 руб. 
3362P-1-202LF (BOURNS) 2830 32.50 руб. 
BSH201.215 (NXP) 134 25.20 руб. 
L-113YDT (KB) 2170 21.29 руб. 
MMBF170LT1
Полевые МОП транзисторы

Power MOSFET 500 mA, 60V N-Channel

Также в этом файле: MMBF170LT1G

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

mmbf170lt1.pdf
64.46Kb
4стр.