MMBT2222A

Версия для печати Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц

Наименование	Кол-во	Цена
MMBT2222A	49040	1.13 руб.

Описание MMBT2222A

Исходный полупроводниковый материал кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max 350mW
Ucb max 75V
Uce max 40V
Ueb max 6V
Ic max 1A
Tj max, °C 175°C
Ft max 300MHz
Cc tip 8
Hfe 100

Технические характеристики MMBT2222A

Параметр	Значение
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 150mA, 10V
Power - Max	350mW
Frequency - Transition	300MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23
Product Change Notification	Mold Compound Change 12/Dec/2007

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Кол-во	Цена
2SD1616K (NEC)	26	45.90 руб.
ATMEGA8A-AU (MICRO CHIP)	5840	224.35 руб.
IRLML5103 (HOTTECH)	9600	9.72 руб.
MMBT2907A	86400	1.22 руб.

mmbt2222a.pdf
174,82kB
5стр.