Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| MMBT3906LT1G (ONS) | 520 | 2.36 руб. | |
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 1V |
| Power - Max | 225mW |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Product Change Notification | Wire Change 08/May/2007 Possible Adhesion Issue 11/July/2008 |
|
MMBT3906LT1 Универсальные биполярные транзисторы General Purpose Transistor PNP Silicon Также в этом файле: MMBT3906LT1G
Производитель:
|
||
 |
 |
 |
 |
 |
 |
