Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

MMBTA42LT1G

Версия для печати Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.

Наименование
Кол-во
Цена
 
MMBTA42LT1G 47920 2.44 руб. 

Технические характеристики MMBTA42LT1G

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type NPN
Current - Collector (Ic) (Max) 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 2mA, 20mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 30mA, 10V
Power - Max 225mW
Frequency - Transition 50MHz
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус SOT-23-3
Product Change Notification Possible Adhesion Issue 11/July/2008
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
1N4148WS (HOTTECH) 1636922 1.31 руб. 
BLM31PG601SN1L (MURATA) 17360 15.82 руб. 
BLM41PG102SN1L (MURATA) 5902 17.69 руб. 
IRF740 2512 29.42 руб. 
MMBTA92LT1G (ONS) 40057 6.90 руб. 
MMBTA42LT1G

High Voltage Transistors NPN Silicon

Также в этом файле: MMBTA42LT1G

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

mmbta42lt1g.pdf
57.87Kb
4стр.