Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

SI2301BDS-T1-E3

Версия для печати P-Ch -20V -2,4A 0,7W 0,1R

Наименование
Кол-во
Цена
 
SI2301BDS-T1-E3 (VISHAY) 1810 25.69 руб. 

Технические характеристики SI2301BDS-T1-E3

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 2.2A
Vgs(th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 10nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 375pF @ 6V
Power - Max 700mW
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус SOT-23-3 (TO-236)
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
BS170 (ONS) 2256 28.99 руб. 
NE556N (TEXAS) 848 41.79 руб. 
RLB0914-181KL (BOURNS) 2253 30.49 руб. 
SN65HVD12D (TEXAS) 78 126.66 руб. 
КЕ171 ИСП.5 КРАСН.
Выключатели применяются в подвижных и неподвижных стационарных установках, в том числе химостойких изделиях и кузнечно-прессовом оборудовании Коммутир...
1221.12 руб Купить
STGD5NB120SZT4
Внутреннезамкнутый igbt-транзистор на 1200 в, 5 а
Купить
TL431ACLP
SHUNT REG ADJ +2.5/36V, TO-92, 431; Termination Type:Through Hole; Pins, No. of:3; Temperature, Operating Range:0°C to +70°C; Temp, Op...
Купить