Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| SI4425BDY-T1-E3 (VISHAY) | 254 | 247.32 руб. | |
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchFET® |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 11.4A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 8.8A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 100nC @ 10V |
| Power - Max | 1.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOICN |
Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| КМТ-12-10 КОМ-30% | 63 | 17.76 руб. | |
| С2-29В-0,125-13 КОМ-0,1% | 136 | 17.76 руб. | |
| С2-29В-0,125-25,5 КОМ-0,1% | 72 | 17.76 руб. | |
 |
 |
 |
 |
 |
 |