STGP8NC60KD

Версия для печати Igbt-транзистор на 600 в, 8 а с усиленной защитой от короткого замыкания

Наименование	Кол-во	Цена
STGP8NC60KD (ST MICROELECTRONICS)	78	109.97 руб.

Технические характеристики STGP8NC60KD

Параметр	Значение
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Серия	PowerMESH™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.75V @ 15V, 3A
Current - Collector (Ic) (Max)	15A
Power - Max	65W
Тип входа	Standard
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Кол-во	Цена
L6388ED013TR (ST MICROELECTRONICS)	1969	70.08 руб.
THX202H (THX)	512	44.68 руб.

STGP8NC60KD
IGBT

IGBT-транзистор на 600 В, 8 А с усиленной защитой от короткого замыкания

Производитель:
STMicroelectronics

STGP8NC60KD.pdf
560.2 Кб

Р СљР вЂњР РЃР вЂ™-1.5 Р С™Р С›Р В Р ВР В§.
Р СџРЎР‚Р С•Р Р†Р С•Р Т‘ Р С—РЎР‚Р ВµР Т‘Р Р…Р В°Р В·Р Р…Р В°РЎвЂЎР ВµР Р… Р Т‘Р В»РЎРЏ Р Р†Р Р…РЎС“РЎвЂљРЎР‚Р С‘Р С—РЎР‚Р С‘Р В±Р С•РЎР‚Р Р…Р С•Р С–Р С• Р С‘ Р СР ВµР В¶Р С—РЎР‚Р С‘Р В±Р С•РЎР‚Р Р…Р С•Р С–Р С• Р СР С•Р Р…РЎвЂљР В°Р В¶Р В°, Р Т‘Р В»РЎРЏ РЎвЂћР С‘Р С”РЎРѓР С‘РЎР‚Р С•Р Р†Р В°Р Р…Р С•Р С–Р С• Р СР С•Р Р…РЎвЂљР В°Р В¶Р В° Р С—РЎР‚Р С‘Р В±Р С•РЎР‚Р С•Р Р† Р С‘ Р В°Р С—Р С—Р В°РЎР‚Р В°РЎвЂљР С•Р Р†, РЎРѓР С•Р ВµР Т‘Р С‘Р Р…Р ВµР Р…Р С‘РЎРЏ РЎРЊР В»Р ВµР С”РЎвЂљРЎР‚Р С•Р Р…Р Р…Р С•Р в„– Р С‘ РЎРЊР В»Р ВµР С”РЎвЂљРЎР‚Р С‘РЎвЂЎР ВµРЎРѓР С”...
25.20 РЎР‚РЎС“Р В± Р С™РЎС“Р С—Р С‘РЎвЂљРЎРЉ

CC10-2405SF-E
Dc/dc Р С—РЎР‚Р ВµР С•Р В±РЎР‚Р В°Р В·Р С•Р Р†Р В°РЎвЂљР ВµР В»РЎРЉ Р СР С•РЎвЂ°Р Р…Р С•РЎРѓРЎвЂљРЎРЉРЎР‹ 10Р’В Р Р†РЎвЂљ, Р С”Р С•РЎР‚Р С—РЎС“РЎРѓ: Р Т‘Р В»РЎРЏ Р СР С•Р Р…РЎвЂљР В°Р В¶Р В° Р Р…Р В° Р С—Р ВµРЎвЂЎР В°РЎвЂљР Р…РЎС“РЎР‹ Р С—Р В»Р В°РЎвЂљРЎС“ dip
Р С™РЎС“Р С—Р С‘РЎвЂљРЎРЉ

FDPF26N40
N-channel mosfet
Р С™РЎС“Р С—Р С‘РЎвЂљРЎРЉ