Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| STP10NK60Z (ST MICROELECTRONICS) | 1966 | 179.45 руб. | |
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | SuperMESH™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750 mOhm @ 4.5A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 10A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 70nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1370pF @ 25V |
| Power - Max | 115W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
|
STP10NK60Z MOSFET N-channel 650 V, 0.65 ?, 10 A, SuperMESH™ Power MOSFET Zener-protected TO-220
Производитель:
|
||
 | Р РЋР В 50-14ФВ РЎРѕРµРТвЂР В РЎвЂР  Р…Р СвЂР ЎвЂљР ВµР В»Р С†РЎвЂљР СвЂР  С—Р В° Р РЋР В -50 Р В РўвЂР  В»РЎРЏ СЃРѕРµРТвЂР В РЎвЂР  Р…енРСвЂР РЋР РЏ байонетныРѠРСвЂР  В»Р С†РЎР‚езьбовыРѠСЃРїРѕСЃРѕР±РѕРѠСЂР°РТвЂР В РЎвЂР  С•РЎвЂЎР В°РЎРѓРЎвЂљР С•РЎвЂљР Р…ых трактовс волновыРѠСЃРѕРїСЂРѕС‚РСвЂР  Р†Р В»Р ВµР Р…Р СвЂР  ВµР С 50 РћРСВ. Р”РСвЂР  В°Р С—азон частот РѕС‚ 300... 682.00 СЂСѓР± РљСѓРїРСвЂР ЎвЂљРЎРЉ |
 | SP14Q006-ZZA ГрафРСвЂР ЎвЂЎР ВµРЎРѓР С”Р СвЂР  в„– жк Р В РЎВРѕРТвЂР ЎС“ль 320x240 РљСѓРїРСвЂР ЎвЂљРЎРЉ |
 | BTA08-800CW Р РЋР СвЂР В РЎВР В РЎвЂР ЎРѓРЎвЂљР С•РЎР‚ Р Р…Р В° 8 Р°РСВпер 800 вольт, бесснабберный, РІРСвЂР  В·Р С•Р В»Р СвЂР ЎР‚ованноРѠРєРѕСЂРїСѓСЃРµ РљСѓРїРСвЂР ЎвЂљРЎРЉ |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
