Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

MBRA160T3G

Версия для печати
Наименование
Кол-во
Цена
 
MBRA160T3G (ON SEMICONDUCTOR) 4 28.26 руб. 

Технические характеристики MBRA160T3G

Параметр
Значение
Current - Average Rectified (Io) 1A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 60V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 510mV @ 1A
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Current - Reverse Leakage @ Vr 200µA @ 60V
Diode Type Schottky
Скорость Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) DO-214AC, SMA
Корпус SMA
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
2РМГ22БПН10Ш1Е2 8 12 221.64 руб. 
2РМГ22БПН10Ш1Е2 8 9 443.16 руб. 
564ПР1 (НОВОСИБИРСК) 5 360.00 руб. 
КР1199ЕН9А (ИНТЕГРАЛ) 266 18.36 руб. 
КТ972А (МИНСК) 10400 52.80 руб.