Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

11DQ10

Версия для печати Диод Шоттки (U=100V, I=1.1A, Vf=0.85V@I=1.0A, Vf=0.96V@I=2.0A, -40 to +150C).

Наименование
Кол-во
Цена
 
11DQ10 (EIC) 800 22.09 руб. 

Описание 11DQ10

Материал кремний
Максимальное постоянное обратное напряжение, В 100
Максимальное импульсное обратное напряжение, В 100
Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А 1.1
Максимально допустимый прямой импульсный ток,А 14
Максимальный обратный ток,мкА 25гр 500
Максимальное прямое напряжение,В 0.85при Iпр.,А 1
Общая емкость Сд,пФ 35
Рабочая температура,С -40…150
Способ монтажа в отверст.
Корпус DO204AL

Технические характеристики 11DQ10

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 850mV @ 1A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 100V
Current - Average Rectified (Io) 1.1A
Current - Reverse Leakage @ Vr 500µA @ 100V
Diode Type Schottky
Скорость Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) DO-204AL, DO-41, Axial
Корпус DO-204AL
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
OP07CP (TEXAS INSTRUMENTS) 4400 73.15 руб. 
11DQ10

Low Forward Voltage Drop Diode

Производитель:
Nihon Inter Electronics Corporation
//www.niec.co.jp

11dq10.pdf
39.96Kb
6стр.
Р В Р Р‹2-29-0.125-6.19Р В РЎв„ў 0.1%
Резистор аксиальный постоянный тонкопленочный прецизионный, могут быть всеклиматического изолированного и неизолированного типаТехнические характерист...
16.12 Р В Р’ Р’ Р Р‹Р В РІР‚љР РЋРЎвЂњР В Р’В± Р В Р’ Р’ Р’ РЎв„ўР РЋРЎвЂњР В РЎвЂ”ить
FPF2312
Сдвоенные коммутаторы с регулируемым разбросом порога ограничения тока
Купить
HCPL-5701
Герметичный оптрон с составным транзистором. исполнение mil-prf-38534 класс h
Купить