Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

BAV99LT1G

Версия для печати 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)

Наименование
Кол-во
Цена
 
BAV99LT1G 8000 3.19 руб. 

Технические характеристики BAV99LT1G

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.25V @ 150mA
Current - Reverse Leakage @ Vr 2.5µA @ 70V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 215mA (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 70V
Reverse Recovery Time (trr) 6ns
Diode Type Standard
Скорость Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration 1 Pair Series Connection
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус SOT-23-3
Product Change Notification Wire Change 08/May/2007 Possible Adhesion Issue 11/July/2008
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
BAV70 (JINGDAO) 166895 1.22 руб. 
LM317T (КИТАЙ) 4800 43.20 руб. 
LM324N (TEXAS INSTRUMENTS) 4215 38.40 руб. 
MC33063ADR 19996 24.38 руб. 
TL431ACZ-AP (ST MICROELECTRONICS) 80 41.33 руб. 
BAV99LT1

Monolithic Dual Switching Diode

Также в этом файле: BAV99LT1G

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

bav99lt1.pdf
46.8Kb
4стр.